热烈庆祝中国IGBT技术创新与产业联盟第二届学术论坛在广州顺利召开,并取得圆满成功
发布日期:2016-09-27   发布者:Grace   浏览次数:   文章来源:www.solderwell.com.cn

    9月23日,由中国IGBT技术创新与产业联盟(以下简称“联盟”)主办的第二届学术论坛活动在广州顺利召开。论坛吸引了业内70多家单位200多名代表参会。

    联盟名誉理事长、国家集成电路产业投资基金股份有限公司总经理丁文武,工信部电子信息司集成电路处副处长龙寒冰,中国工程院院士、中车株洲所董事长、联盟理事长丁荣军,株洲中车时代电气执行董事、总经理刘可安联盟秘书长肖向锋,广东省经贸委、广州市工信委、广州开发区相关领导等出席论坛。

与会主要领导及嘉宾

协办单位广州汉源新材料股份有限公司董事长陈明汉致辞

丁荣军表示,联盟成立两年来致力于发挥平台聚合作用,不断推动行业向前发展,希望产业上下游单位能够顺势而上,抓住“一带一路”、“中国制造2025”等国家战略推进的时机,认真开展技术交流和科技攻关,力争在关键技术上取得更大突破和更多成果,优化具有自主知识产权的“材料-芯片-模块-应用”的完整产业链。同时,联盟将利用平台优势积极策划或争取国家重大项目,牵头组织各成员单位加大科技攻关、技术集成的力度,提升行业的核心竞争力水平,形成“产学研用”的强劲合力,将我国IGBT产业的发展推向更高层次和更大规模。

 会上,龙寒冰代表政府主管部门对论坛召开表示祝贺,并号召全体与会人员及会员单位大力发扬工匠精神,以市场为牵引,聚焦为用户服务,做到全产业链协调发展。同时对国家推动 IGBT产业发展的政策予以了宣贯和解读。 

联盟名誉理事长丁文武肯定了IGBT联盟两年取得的成绩,并表示各单位要抓住半导体产业发展的黄金时期,以联盟为平台,不断强化沟通与交流,利用好国家的政策,推动全产业链的齐头并进。 

株洲中车时代电气副总工程师刘国友、株洲中车时代电气半导体事业部IGBT制造中心副主任罗海辉博士应邀就新型功率半导体器件国家重点实验室、汽车IGBT芯片与模块技术研究做了专题学术报告,同时,来自中国科学院微电子研究所、广州汉源新材料、北京工业大学、英飞凌、南方电网、国家电网、北京七星华创等单位的专家从IGBT材料、芯片、封测、应用及设备开发等技术研究角度进行专题报告,与会代表亦提出许多高水平的学术问题,现场学术气氛非常浓厚。

株洲中车时代电气副总工程师刘国友 就新型功率半导体器件国家重点实验室做学术报告

株洲中车时代电气半导体事业部IGBT制造中心副主任罗海辉博士 就汽车IGBT芯片与模块技术研究做学术报告

广州汉源新材料股份有限公司副总工程师杜昆 就汉源在功率半导体封装专用焊片方面的技术研究做学术报告

本次论坛由广州汉源新材料股份有限公司、株洲中车时代电气、新型功率半导体器件国家重点实验室等机构协办。此次学术论坛获得与会领导嘉宾参会人员的高度评价,取得了圆满成功。 

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